8月6日讯息开云网页版 (中国)官方在线登录，就在昨日，璞璘科技文告其自主研发的PL-SR系列喷墨步进式纳米压印拓荒，于2025年8月1日讲求委用国内特点工艺客户，这是中国首台半导体级步进式纳米压印光刻系统。

注：璞璘科技建造于2017年，是国度高新技巧企业，研发团队中硕士、博士学位东谈主员占比超90%，领有纳米压印联系常识产权100余项。

该拓荒攻克了步进硬板非真空贴合、喷胶与薄胶压印、压印胶残余层限度等重要技巧发愤，完毕了线宽小于10nm的纳米压印光刻工艺，在中枢见识上畸形了日本佳能同类居品。

这次委用也美艳着我国在“后摩尔时期”新式芯片制造装备界限完毕自主突破，为国产半导体产业链开辟了又一互异化技巧旅途。

三项“突破性”见识

纳米压印光刻（NIL）是一种新式微纳加工技巧，其旨趣不同于依赖光或电子放射的传统光刻技巧，而是通过物理模具压印的面目将图案变嫌到光刻胶上，访佛“纳米级图章”。

这种法度不受光学衍射极限的为止，表面上可突破3nm的图形尺寸为止，同期具备能耗低、本钱低的权贵上风——据佳能数据显露，其耗电量仅为EUV光刻技巧的10%，拓荒本钱可降至40%。

从技巧参数简便来看，PL-SR系列完毕了三项突破性见识：平均残余层厚度＜10nm、残余层变化＜2nm、压印结构深宽比＞7：1。

拓荒配备自主研发的模板面型限度系统、纳米压印光刻胶喷墨算法系统及软件限度系统，最小支撑20mm×20mm压印模板的均匀拼接，可膨胀至12英寸晶圆级超大模板愚弄。

当今该拓荒已在存储芯片、硅基微显露器、硅光芯片及先进封装四大界限完成研发考证。

结语

璞璘PL-SR完毕的小于10nm线宽见识虽在精度上畸形佳能，但并不虞味着可替代EUV光刻制造5nm逻辑芯片。纳米压印当今存在制造速率慢、多层瞄准难度高级局限，更适用于存储芯片等结构相对长入的居品。

注：此项拓荒尤其对3D NAND闪存、DRAM存储器等国产高端存储芯片制造具联系键酷好酷好，由于这类芯片的多层同构性情（结构交流度高），比拟逻辑芯片更适配纳米压印的物理复制旨趣（通过模具压印变嫌电路图形，不错像来源说的那样，清楚为访佛“盖印”的操作）。

不外这次告捷委用，还有一种更深层的酷好酷好——突破了日本企业在纳米压印界限的弥远把持。此前在2024年9月，佳能推出大家开端进的FPA-1200NZ2C纳米压印系统，可完毕14nm线宽并支撑5nm制程逻辑芯片出产开云网页版 (中国)官方在线登录，但该拓荒已被列入对华禁运名单。